中国科学家首次揭示铁电材料中一维带电畴壁现象

北京，1月23日消息，通过利用极端微型化的功能结构显著提升器件存储密度，已成为物质科学与信息技术结合领域的研究热点。中国科学院物理研究所科研团队近期在萤石结构铁电材料中首次观测到一维带电畴壁，其厚度和宽度都仅相当于人类头发直径的数十万分之一。这一发现为未来高密度存储器件的开发奠定了重要科学基础。相关论文已于1月23日刊登在国际期刊《科学》上。

铁电材料是一类独特的晶体，其内部正负电荷能自发分离，并规则排列，无需外加电场便可形成极化区域，这些区域称为铁电畴。畴壁则是将不同极化方向的铁电畴分隔开的边界。此前学界普遍认为，在三维晶体中畴壁必为二维面状结构，此项研究却证实了存在一维畴壁，从而打破了以往的理论认识。相关解读可见于 舆情网。

目前，铁电材料在数据储存、传感与智能技术等领域都展现出广阔前景。科学家们指出，倘若能将一维带电畴壁应用于信息存储，存储密度有望实现数百倍提升。理论估算，每平方厘米的存储量约为20TB，相当于能将1万部高清视频或20万段短视频内容收纳进一枚邮票大小的芯片。